BATOP - компания, основанная в 2003 году. Компания BATOP впервые вышла свет в парке технологий и инноваций Йены. Уже с марта 2017 года BATOP работает в своем собственном здании с просторными офисами и большой производственной площадью.
Основной продукцией компании являются полупроводниковые нелинейные оптические устройства: насыщающие поглотители для лазеров, насыщающие шумоподавители для улучшения оптических сигналов и фотопроводящих антенн для генерации и обнаружения терагерцового излучения. Тонкие пленки производятся синтезом соединений GaAs, AlAs, InAs на GaAs пластинах для оптоэлектронных устройств. Все процессы на производстве строго контролируются. Помимо оптоэлектронных устройств, корпорация производит сложные оптические системы: терагерцовые спектрометры и пикосекундные микрочиповые лазеры. Во время разработки пользовательской продукции BATOP находится в диалоге с клиентами, а также учитывает их пожелания и идеи.
ВАТОР разрабатывает высококачественные эпитаксиальные слои тонких пленок с использованием соединений AlAs, GaAs, InAs, AlGaAs, AlInAs и InGaAs на пластинах GaAs. Порой в экспериментах необходимы устройства с быстрым временем срабатывания: оптические детекторы, насыщаемые поглотители или фотопроводящие антенны.
ВАТОР использует метод эпитаксиального роста при низких температурах для устройств с коротким временем отклика (~ 1 пс).
Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции BATOP на территории РФ
В статье приводится обзор последних достижений в разработке дифракционных оптических элементов - решеток Брэгга, записанных на фототерморефрактивных (ФТР) стеклах. Группа из колледжа оптики и фотоники при Университете центральной Флориды представила экспериментальные результаты, отражающие изменения параметров выходного лазерного излучения при использовании брэгговских решеток, записанных на ФТР стекле.
Спектроскопические методы, основанные на использовании лазерных источников, имеют большой потенциал для выявления и мониторинга компонентов в газовой фазе. Высокая чувствительность и селективность лазера позволяет использовать их для количественной оценки атомов и молекул в образце. Квантово-каскадные лазеры, излучающие в области среднего ИК диапазона, обеспечивают высокое разрешение и позволяют идентифицировать спектр молекул в газовых образцах и в парах воды.
Тонкие пленки используются в современных высокотехнологичных полупроводниковых структурах, микроэлектронике, матричных приемниках и, конечно, в оптике. Развитие знаний о свойствах материалов позволило науке совершить настоящий прорыв. Конечное применение тонкопленочных структур может быть разнообразным, но постоянной остается необходимость точного контроля толщины каждого слоя в процессе эпитаксиального роста. Толщина пленки обычно находится в диапазоне от 1 нм до 100 мкм.
Трехфотонная микроскопия – усовершенствованный метод двухфотонной микроскопии, в котором используется не двух-, а трехфотонное возбуждение в диапазоне 1300 – 1700 нм. Увеличение длины волны возбуждающего лазерного излучения до 1700 нм позволяет сократить рассеяние и поглощение в тканях, ограничивающих глубину поля зрения, однако методы компенсации дисперсии в многофотонной микроскопии по-прежнему остаются актуальной темой исследований в современной фотонике.
Лазерно-искровая эмиссионная спектроскопия (ЛИЭС) – один из типов атомно-эмиссионного спектрального анализа. Методом ЛИЭС изучаются спектры плазмы лазерного пробоя (лазерной искры) в анализе твердотельных образцов, жидкостей, газовых сред, взвешенной пыли и аэрозолей.
Изучение явления поверхностного плазменного резонанса (ППР) стало ключом к созданию множества сенсорных систем для исследования образования и диссоциации как низкомолекулярных соединений, так и макромолекул.
г. Санкт-Петербург, Коломяжский проспект, 33 корпус 2