Оптоэлектронные устройства BATOP

BATOP GmbH - компания, основанная в 2003 году. Основной продукцией компании являются полупроводниковые нелинейные оптические устройства: насыщающие поглотители для лазеров, насыщающие шумоподавители для улучшения оптических сигналов и фотопроводящих антенн для генерации и обнаружения терагерцового излучения.

Тонкие пленки производятся синтезом соединений GaAs, AlAs, InAs на GaAs-пластинах для оптоэлектронных устройств. Все процессы на производстве строго контролируются.

Помимо оптоэлектронных устройств, корпорация производит сложные оптические системы: терагерцовые спектрометры и пикосекундные микрочиповые лазеры.

Во время разработки пользовательской продукции BATOP находится в диалоге с клиентами, а также учитывает их пожелания и идеи.

Компания BATOP впервые увидела свет в парке технологий и инноваций Йены. Уже с марта 2017 года BATOP работает в своем собственном здании с просторными офисами и большой производственной площадью.

Компания является прямым поставщиком продукции BATOP на территории РФ. Вы можете получить подробную информацию и коммерческие условия обратившись к специалистам нашей компании.

НАСЫЩАЕМЫЕ ПОГЛОТИТЕЛИ

Зеркало с насыщаемым поглотителем (SAM™)

Зеркала с насыщаемым поглотителем – это брэгговские зеркала с чередованием четвертьволновых AlAs/GaAs – слоев, сформированных на GaAs – покрытиях с одной или несколькими низкотемпературными пленками: GaAs (LT-GaAs) или LT-InGaAs в качестве насыщаемых поглотителей. Зеркала с насыщаемым поглотителем от BATOP, времена релаксации носителя в которых – пикосекунды, используются в диодных лазерах для пассивной синхронизации мод и модуляции добротности. Конструкция слоя формируется в зависимости от характеристик лазера.

Отражательные зеркала с насыщаемым поглотителем (RSAM™)

Конструкция отражательных зеркал с насыщаемым поглотителем создана так, чтобы с его помощью можно было менять оптический сигнал. Сигнал, распространяющийся внутри оптоволокна, в узлах связи или в других оптических устройствах, подвергается изменению. После каждого потока усиления, который используется для стимулирования генерации, отношение сигнал/шум меняется из-за спонтанного излучения. С помощью зеркал можно не только снизить уровень шума, но обеспечить пропускание оптического импульса, не зависящего от нелинейно-оптических свойств.

Выводное зеркало с насыщаемым поглотителем (SOC)

Использование выводного зеркала с насыщаемым поглотителем позволяет легко совмещать в импульсном диодном или волоконном лазере режимы самозапуска, пассивной синхронизации мод и модуляции добротности. Система состоит из зеркала с насыщаемым поглотителем и устройства вывода.

Насыщаемый шумоподавитель (SANOS™ )

Насыщаемый поглотитель в режиме пропускания (SA)

Насыщаемый поглотитель без брэгговского зеркала можно использовать в лазере в режимах самозапуска и пассивной синхронизации мод так же, как и инструменты с зеркалами. Единственное отличие – такой вариант работает только в режиме пропускания излучения. Поглотитель также можно встроить в волоконно-кольцевой лазер. Плотность насыщения инструмента без зеркала значительно выше.

Резонансные насыщаемые поглотители в режиме пропускания(RSA)

Резонансный насыщаемый поглотитель используется для пассивной синхронизации мод кольцевого лазера. Однако у этого резонансного устройства есть некоторые особенности: • Нулевое отражение на резонансной длине волны для низкой интенсивности. • Нулевой коэффициент пропускания для всех длин волн вне области отражения. • Увеличение коэффициента пропускания на резонансной длине волны с увеличением плотности потока излучения. • Плотность насыщения ниже, чем в других поглотителях. Благодаря этому можно создать низкопороговый волоконно-кольцевой лазер с пассивной синхронизацией мод и длиной волны излучения, зафиксированной на резонансной частоте RSA.

ТЕРАГЕРЦОВЫЕ УСТРОЙСТВА

Фотопроводящая антенна (PCA)

Фотопроводящие антенны от ВАТОР используются для генерации и обнаружения терагерцовых импульсов с помощью импульсных лазеров (возможная длина волны: 800 нм, 1060 нм, или 1550 нм). Часто их подключают через волоконные соединители. Фотопроводящие антенны оснащены линзами с различными типами кремниевой подложки, из-за чего получается расходящийся, коллимированный или сфокусированный терагерцовый пучок. Для эффективной генерации терагерцового излучения компания предлагает большой выбор антенных решеток.

Терагерцовый спектрометр реального времени

ВАТОР представляет компактный настольный временной спектрометр TDS10XX с ПО T3DS. Частотный диапазон – 0,05 - 4 ТГц. Устройство регистрирует пропускание и отражение в отсеке для образцов, который заполняется азотом. Дополнительный блок сканирования изображений объединен с антеннами, связанными между собой волоконными соединителями. Такой блок может использовать для измерений отражения и пропускания от больших объектов.

Терагерцовые линзы

Ходом терагерцового излучения между излучателем и детектором можно управлять с помощью гиперсферических и эллиптических кремниевых линз, асферических TPX-линз разного диаметра и фокусного расстояния.

ЛАЗЕРЫ

Микрочип 1064 нм

Микрочип состоит из зеркала с насыщаемым поглотителем и кристалла Nd:YVO4. Микрочип необходим для генерации лазерных импульсов длиной волны 1064 нм при накачке диодным лазером на длине волны 808 нм в режиме пассивной модуляции добротности.

Комплект для лазерного анализа PSFL1030

Комплект с пикосекундным лазером. С помощью комплекта для лазерного анализа PSFL1030 любой пользователь может настроить различные конфигурации пикосекундного лазера, используя зеркала с насыщаемым поглотителем (SAM) для режима пассивной синхронизации мод.

Миниатюрные зеркала для длинноволновых фильтров

Если в установке необходимы очень маленькие зеркала или длинноволновые фильтры с размерами всего в несколько миллиметров, то их можно установить на монокристаллических подложках GaAs. Монокристаллическая подложка с GaAs обладает хорошей теплопроводностью - 55 Вт / (м * К); также можно разделить ее на мелкие прямоугольные чипы благодаря кубической кристаллической структуре. • Широкополосные золотые зеркала • Мелкие и брэгговские зеркала • Длинноволновые фильтры

КАСТОМНАЯ ПРОДУКЦИЯ BATOP

Выращивание тонких пленок для полупроводниковых оптоэлектронных и электронных устройств.

ВАТОР разрабатывает высококачественные эпитаксиальные слои тонких пленок с использованием соединений AlAs, GaAs, InAs, AlGaAs, AlInAs и InGaAs на пластинах GaAs.
Порой в экспериментах необходимы устройства с быстрым временем срабатывания: оптические детекторы, насыщаемые поглотители или фотопроводящие антенны.
ВАТОР использует метод эпитаксиального роста при низких температурах для устройств с коротким временем отклика (~ 1 пс).

Заказать продукцию Batop

Заказать консультацию

Задайте свой вопрос

Имя: *

Телефон: *

Я согласен(на) с политикой обработки персональных данных, подробнее

Последние статьи

Агрофотоника

Повышение уровня потребления продуктов питания является прямым следствием неуклонного роста населения нашей планеты. Уже не одно столетие остается актуальной задача создания условий для выращивания растений вне зависимости от сезона; возрастают масштабы тепличного хозяйства, ведется разработка новых решений и методов, стимулирующих онтогенез растений...

Использование компактных спектрометров в исследованиях процессов сгорания

Будем честны, интереснее всего в химии наблюдать яркие вспышки и реакции горения. Популярный опыт в общей химии – реакция между алюминием и оксидом железа (III) – одна из таких впечатляющих иллюстраций.

Терагерцовые наборы

Если вы знакомы с принципами работы терагерцовых спектрометров реального времени и являетесь обладателем фемтосекундного лазера, терагерцовый набор может оказать большую пользу в ваших исследованиях.

Брэгговские зеркала

Тонкие брэгговские зеркала представляют собой структуру, состоящую из чередующейся последовательности оптических материалов с разным показателем преломления

Фильтры для флуоресцентных микроскопов

Флуорофор, фильтр для флуоресцентного микроскопа, возбуждающий фильтр, дихроичное зеркало, эмиссионный фильтр.

Фотодиоды и фотопроводники

Фотодиод работает подобно обыкновенному сигнальному диоду. Отличие заключается в том, что фотодиод генерирует фототок, когда свет поглощается в области переходного слоя полупроводника. Это устройство обладает высокой квантовой эффективностью, а потому находит применение в решении многих задач.