Главная / Библиотека / Волоконно-оптические наконечники для высокомощных 3 мкм волоконных лазеров

Волоконно-оптические наконечники для высокомощных 3 мкм волоконных лазеров

Теги волокно оптоволоконные наконечники
Волоконно-оптические наконечники для высокомощных 3 мкм волоконных лазеров

Аннотация

Фотодеградация конца волокна из-за OH-диффузии в настоящее время ограничивает длительную работу высокомощных волоконных лазеров и усилителей, излучающих на длине волны около 3 мкм. Чтобы решить эту проблему, ученые из университета Лаваля (Квебек, Канада) исследовали сопротивление OH-диффузии фторидных и оксидных оптоволокнных наконечников, изготовленных из ZrF4, AlF3, GeO2, SiO2 и Al2O3 волокон. В данной статье оптоволоконные наконечники сращивались с выходной поверхностью волокна лазера непрерывного действия мощностью 20 Вт, работающего на длине волны 2.8 мкм, и отслеживалось их разрушение в течение 100 часов работы. В то время как оптоволоконные наконечники на основе фторидов вышли из строя в течение первых 10 часов, оксидные наконечники выдержали весь эксперимент, хотя и продемонстрировал фотодеградацию, которая связана в повышении температуры торца с течением времени. Чтобы преодолеть эту проблему, авторы статьи предлагают новый метод полного подавления OH-диффузии, который состоит в напылении наноскопической диффузионной барьерной пленки из нитрида кремния (Si3N4) на выходную поверхность оптоволоконных наконечников.
Эффективность метода подтверждена при использовании оптоволоконных наконечников из Al2O3, ZrF4 и AlF3, которые не показали признаков разрушения после 100 часов при использовании на выходе высокомощного лазера с длиной волны 3 мкм.

Введение

Волоконные лазеры играют важную роль в различных приложениях. Однако с ростом выходной мощности волоконных лазеров, вероятность повреждения наконечников соответственно возрастает. В случае хорошо знакомого Yb3+: кварц волоконного лазера, работающего на длине волны 1 мкм, повреждение волокна связано с тем, что выходная интенсивность излучения на границе раздела воздух-стекло превышает порог повреждения, и разрушение происходит либо из-за перегрева в непрерывном режиме работы, либо из-за лазерного пробоя при высокоинтенсивных импульсах. Чтобы уменьшить влияние этой проблемы, были разработаны оптоволоконные наконечники, которые сращивают с выходной поверхностью волоконных лазерных систем, чтобы позволить пучку расширяться контролируемым образом и, следовательно, снижать порог повреждения стекла. Такие оптоволоконные наконечники позволили разрабатывать волоконные лазерные системы, обеспечивающие выходную мощность свыше 100 кВт в непрерывном режиме.

Волоконные лазеры на основе фторида обеспечивают возможность получения высокомощного излучения между 2.8 и 4 мкм, хотя их текущая выходная мощность значительно меньше, чем у кварцевых аналогов. Тем не менее, ученые недавно продемонстрировали волоконный лазер на фториде циркония, легированный эрбием, который обеспечивает непрерывный режим с мощностью 42 Вт на длине волны 2.83 мкм, что подчеркивает потенциал волоконных лазеров с длиной волны 3 мкм для дальнейшего масштабирования мощности до 100 Вт. Такие полностью волоконные лазерные источники востребованы в разработке приложений для биологической абляции тканей и дистанционного зондирования, учитывая их превосходное совмещение с полосой поглощения колебаний связи ОН, непревзойденное качество пучка, а также их компактную, но прочную конструкцию. Тем не менее широкому распространению высокомощных волоконных лазеров с длиной волны 3 мкм в настоящее время препятствует короткий срок эксплуатации таких лазерных источников из-за разрушения конца волокна. В отличие от волоконных лазерных систем на основе диоксида кремния, эта проблема является прямым следствием работы в полосе поглощения ОН при 3 мкм и гигроскопичности стекол на основе фторида. С помощью аналитического моделирования было показано, что время, прошедшее до катастрофического разрушения обратно пропорционально квадрату выходной мощности лазера на 3 мкм. В результате, для уровня мощности 20 Вт волоконный резонатор прослужил менее 10 часов до того, как произошло катастрофическое повреждение оптоволоконных наконечников на основе фторида из-за OH-диффузии.

Для решения этой проблемы, в данной работе была исследована эффективность различных материалов оптоволоконных наконечников для уменьшения разрушения концов волокон у фторидных волоконных лазеров с длиной волны 3 мкм. В этом случае отслеживалась в течение 100 часов фотодеградация соединенных с выходом высокомощного волоконного лазера, работающего на длине волны около 3-х мкм, наконечников на основе стекловолокон из фторида (фторида циркония и алюминия), стекловолокон на основе оксидов (фторгерманат и кремний), а также монокристаллических сапфировых волокон. В ходе экспериментов оптоволоконные наконечники на основе фторида подверглись катастрофическому повреждению менее чем за 10 часов тестирования, а значит, предположительно, их можно использовать только в маломощных 3 мкм волоконных лазерах. Хотя оптоволоконные наконечники на основе оксида и кристалла сапфира выдержали 100 часов эксперимента, они показали значительный рост температуры с течением времени, следовательно их необходимо использовать в среднемощных (20 Вт) лазерных системах для обеспечения длительного срока службы. Наконец, в этой статье предлагается метод подавления ОН-диффузии с использованием различных типов материалов оптоволоконных наконечников с помощью эффективного диффузного барьера ОН. Этот метод, заключающийся в напылении тонких пленок из нитрида кремния (Si3N4) на выходную поверхность оптоволоконных наконечников, был проверен на ZrF4, AlF3 и Al2O3 наконечниках и показал отсутствие признаков разрушения при высокомощном излучении на 3 мкм в течение более чем 100 часов экспериментов.

Экспериментальная установка

Самодельный высокомощный волоконный лазер с длиной волны 3 мкм обычно используется в исследовании фотодеградации оптоволоконных наконечников из различных материалов. Лазер изображен на рисунке 1.

Рисунок 1

Рисунок 1. Экспериментальная установка, используемая в мониторинге разрушения оптоволоконных наконечников с течением времени при выходной мощности 20 Вт на длине волны 3 мкм

Он изготовлен из 6,5-метрового волокна из фторцирконата (Er3 +: ZrF4) с двойной оболочкой, легированного 7% молями эрбия, производства Le Verre Fluoré. Волокно имеет диаметр сердцевины 15 мкм с числовой апертурой, равной 0.12, что позволяет работать в одномодовом режиме на длине волны более 2,4 мкм. Резонатор волоконного лазера ограничен двумя волоконными брэгговскими решетками (ВБР), записанными через полимер волокна с использованием фемтосекундных импульсов с помощью сканирующей фазовой маски. Входная ВБР с высокой отражательной способностью имеет коэффициент отражения более 99% на длине волны 2.825 мкм, а выходная ВБР с низкой отражательной способностью имеет коэффициент отражения 8%. Активное волокно и высокоотржающая ВБР с низкоотражающей ВБР наматываются на алюминиевую катушку с канавками диаметром 32 см и алюминиевую катушку, охлаждаемую вентилятором, и закрепляются полимером отвержденным УФ-излучением.

Накачка системы осуществлялась исключительно с переднего торца волокна с помощью коммерческого многомодового лазерного диода InGaAs мощностью 135 Вт, работающего на длине волны 980 нм, оптическое волокно из диоксида кремния сращивается (S1, как показано на рисунке 1) с волокном Er3+: ZrF4. На выходе из резонатора волоконного лазера был изготовлена оболочка путем нанесения на оголенное волокно Er3+: ZrF4 УФ-отвержденного полимера с высоким показателем преломления. Эта схема обеспечивала КПД 23% с работающей накачкой, а мощность накачки ограничивала максимальную выходную мощность, примерно равную 29 Вт на длине волны 2.825 мкм. Одномодовое сплавление (S2, как показано на рисунке 1) было сделано между выходным волокном Er3+: ZrF4 и пассивным волокном из ZrF4 с согласованными модами для проведения нескольких экспериментов по фотодеградации оптоволоконных наконечников.

Разрушение с течением времени при различных типах оптоволоконных наконечников отслеживали путем измерения значений температур на выходной поверхности наконечников с помощью тепловизионной камеры компании Jenoptik, оснащенной макросъемочным объективом. Одновременно регистрировалась выходная мощность лазерной системы с помощью термоэлектрического датчика (Gentec E-O, UP25N-250F-H12-D0), чтобы гарантировать работу системы при уровне выходной мощности 20 Вт на протяжении всего эксперимента. Следует отметить, что резонатор лазера работал на этом уровне мощности с некоторыми номинальными характеристиками в течение 800 часов всего эксперимента.

Результаты и обсуждение

Фотодеградация оптоволоконных наконечников

На рисунке 2 показано разрушение различных оптоволоконных наконечников под действием выходной мощности, равной 20 Вт, при непрерывном режиме работы на длине волны 2.83 мкм в течение 100 часов. Начальная температура различных наконечников варьируется между 40-75 ℃, это изменение объясняется разницей в исходной концентрации соединения OH, коэффициентом поглощения на длине волны 2.83 мкм, теплопроводностью, а также их показателем преломления, который определяет интенсивность отражения Френеля на торцевой поверхности оптоволоконных наконечников. Наконечник на основе фторида не выдерживает испытание в течение более чем 10 часов. Хотя начальная температура наконечника многомодового волокна ZrF4 была самой низкой из всех тестируемых (40 ℃), наконечник подвергся катастрофическому повреждению уже через 10 минут. Следует заметить, что в последнем случае наконечник волокна испытывал естественную конвекцию, которая увеличивала тепловое сопротивление между волокном и окружающей средой, что в результате приводило к ускоренному разрушению. Что касается наконечника из AlF3, то он выдержал около 10 часов в схожих условиях, учитывая, что его стеклянная матрица более чем в 10 раз более устойчива в воде, чем ZrF4.

Рисунок 5

Рисунок 2. Измеренная температура выходной поверхности наконечников как функция времени для постоянной выходной мощности в 20 Вт на длине волны 3 мкм

Поэтому очевидно, что оптоволоконные наконечники на основе AlF3 и тем более наконечники на основе ZrF4 не являются подходящими долгосрочными решениями при работе с выходной мощностью более нескольких ватт на длине волны около 3 мкм. Оптоволоконные наконечники AlF3 используются для защиты волокна лазерной системы от фотодеградации, но наконечники из AlF3 могут использоваться только с волоконно-лазерными системами на длине волны 3 мкм, обеспечивающими выходную мощность несколько ватт, чтобы гарантировать их длительную эксплуатацию. С другой стороны, ZrF4 наконечники многомодового волокна должны использоваться только в маломощных системах, где выходная мощность поддерживается ниже диапазона 1 Вт. Однако благодаря идеально подобранному показателю преломления наконечники из ZrF4 дают самое низкое отражение из всех тестируемых; значительное преимущество для волоконных лазерных систем на основе Er3+: ZrF4 с синхронизацией мод и суперконтинуумом в усилителе. В обоих случаях, производительность этих систем сильно ограничена паразитной генерацией на длине волны 2.8 мкм и, следовательно, крайне важно использовать оптоволоконные наконечники, обеспечивающие минимально возможную обратную связь.

Из рисунка 2 можно увидеть, что все оптоволоконные наконечники на основе оксида и кристаллов выдержали 100 часов длительных испытаний на фотодеградацию. Однако эксперимент также показал, что температура наконечников растет с течением времени, что указывает на существование некоего феномена фотодеградации. На рисунке 3 приведены характеристики разрушения наконечников на основе SiO2 и GeO2. Начальная температура оптоволоконных наконечников на основе SiO2 (74℃) значительно выше, чем у оптоволоконных наконечников на основе GeO2 (50℃), это прямой результат сильного поглощения SiO2 на длине волны около 3 мкм. Учитывая, что постоянная температура среды в течение эксперимента равна 20℃, начальное повышение температуры наконечников SiO2 на 1 ватт выходной мощности на длине волны 3 мкм составляет 2.7 °C/Вт, в то время как у наконечников на основе GeO2 примерно вдвое меньше, то есть 1.4 °C/Вт. Следовательно, с точки зрения масштаба выходной мощности на длине волны 3 мкм для волоконных 100 Вт лазеров, мы можем ожидать, что оптоволоконные наконечники на основе SiO2 достигнут начальной температуры в 290 °C, в то время как температура GeO2-наконечников будет находиться в диапазоне 140-280 °C. Это позволяет заключить, что оптоволоконные наконечники на основе GeO2 являются лучшим вариантом для высокомощных систем с длиной волны 3 мкм, поскольку стык между SiO2-наконечником и ZrF4-волокном не может выдерживать температуры, превышающие температуру перехода ZrF4 (то есть 270 °C). Тем не менее для систем средней мощности (около 20 Вт) SiO2-наконечник является лучшей альтернативой, чем наконечник на основе GeO2, учитывая, что скорость их разрушения более чем в три раза ниже, чем у GeO2. Этот факт позволил SiO2-наконечнику достичь после 100 часов работы такой же конечной температуры, что и наконечник на основе GeO2 (LVF), хотя их начальная разница температур составляла 33 °C. Кроме того, волокна SiO2, по сравнению с волокнами GeO2, менее дороги и значительно проще в обращении и переработке. Показатель преломления SiO2 на длине волны 3 мкм составляет 1.42 и это ближе к показателю преломления ZrF4 стекла, то есть 1.49, чем у GeO2. Эта характеристика также способствует использованию наконечников из SiO2 в конструкции мощных волоконных лазерах среднего ИК-диапазона с синхронизаций мод или в усилителях волоконных лазеров. Необходимо отметить, что оба оптоволоконных наконечника на основе GeOбыли протестированы и дали одинаковую реакцию, хотя наконечник, изготовленный из волокна, предоставленного Le Verre Fluoré, имел более низкую начальную температуру. Однако трудно оценить, является ли это результатом менее склонного к OH-диффузии состава стекла или более эффективного охлаждения.

Рисунок 6

Рисунок 3. Спецификация на оптоволоконные наконечники SiO2 и GeO2, где a – начальная температура, b - Ti при выходной мощности на длине волны 3 мкм, c – экстраполированный Ti при выходной мощности 100 Вт, d – изменение температуры во времени

Как было установлено ранее, наконечник из Al2O3 волокна неожиданно показал признаки разрушения с течением времени под воздействием высокомощного лазерного излучения на 3 мкм. Начальная температура наконечника из Al2O3 волокна была равна 60°C, а конечная температура составляла 97 °C, а значит скорость фотодеградации составляла 0.37 °C/ч. В то время, как начальная температура и скорость разрушения наконечника из Al2O3 волокна сравнимы с GeO2-наконечником, следует отметить, что первый наконечник охлаждался с помощью естественной конвекции вместо охлаждения за счет теплопроводности, из-за этого процесс фотодеградации запросто ускоряется в 10 раз. Поэтому ученые считают, что оптоволоконные наконечники на основе Al2O3 потенциально интересное решение для высокомощных волоконных лазерных систем с длиной волны 3 мкм, в зависимости от возможности изготовления наконечников на основе монокристаллического волокна Al2O3. Альтернативой изготовлению таких наконечников могли бы быть одномодовые волноводы с вдавленной в стержневое Al2O3-волокно оболочкой с помощью фемтосекундных импульсов. Этот метод позволит сохранить качество пучка у волоконных лазеров с длиной волны около 3 мкм, хотя для передачи светового пучка используются длинные волокна из Al2O3.

Как и в случае оптоволоконных наконечников на основе фторида, ученые полагают, что фотодеградация, наблюдаемая в наконечниках на основе SiO2 и GeO2, связана с диффузией водяного пара из окружающей среды внутри матрицы стекла. В обоих случаях пары OH могут быть встроены в матрицу в виде групп GeOH или SiOH. Маловероятно, чтобы водяной пар диффундировал внутри матрицы монокристаллического волокна из Al2O3, учитывая высокую степень упорядоченности его матрицы. Вместо этого ученые полагают, что повышение температуры, наблюдаемое во время эксперимента, связано с адсорбцией водяного пара на полированной поверхности сапфирового волокна. Возникновение адсорбции воды вызвано тем фактом, что на поверхности монокристаллического сапфирового волокна химический состав чистого кристалла не сохраняется, поскольку соединения Al-O-Al лишены соседей. Это приводит к возникновению различных химических механизмов, посредством которых ОН может связываться с поверхностью и изменять свойства последнего при повышении давления, влажности, температуры и времени. Тем не менее, необходимо провести дальнейшие исследования, чтобы подтвердить, как взаимодействуют окружающие пары ОН с различными оптоволоконными наконечниками на основе оксидов и кристаллическими наконечниками. Что касается наконечников Er3+: YAG, то они не могли быть протестированы, учитывая, что их температура на 3 мкм при мощности 2.5 Вт уже была около 120 °C. Эта температура была измерена в различных точках соединения между волокном и наконечником Er3+: YAG. С помощью анализатора оптического спектра в ближнем инфракрасном диапазоне на выходе волоконного лазерного резонатора с длиной волны 2.83 мкм наблюдался четкий, но слабый пик на длине волны 980 нм. Это указывало на то, что на выходе из лазерного резонатора оставалась накачка остаточной оболочки, которая поглощалась сильно легированным (50%) Er3+: YAG наконечником и вызывала его чрезмерный нагрев. Несмотря на это, мы считаем, что нелегированные волокна на основе монокристалла YAG представляют собой очень интересный материал для оптоволоконных наконечников, поскольку он обладает такими же термическими и механическими свойствами, как и волокно из Al2O3, и в то же время могут запросто трансформироваться в оптоволоконные наконечники для волокна из ZrF4. Следует также отметить, что кристаллы фторида кальция (CaF2) без сердцевины недавно были использованы для наконечников волоконных лазерных систем с длиной волны 3 мкм, работающих с мощностью 16 Вт на длине волны около 2.8 мкм. Однако, учитывая недоступность такого материала для авторов, было невозможно оценить его долгосрочное поведение при фотодеградации в текущем эксперименте.

Покрытия Si3N4 для мощных волоконных лазеров 3 мкм-класса

Чтобы определенным образом подавить ОН-диффузию в материалах наконечников, предлагается покрыть выходную поверхность наноскопической тонкой пленкой на основе нитрида кремния (Si3N4). Такие материалы уже широко используются в электронике в качестве диффузионного барьера для диэлектрических слоев SiO2 или пассивирующих слоев в гибких электролюминесцентных устройствах.

В этом эксперименте тонкие пленки Si3N4 были нанесены на грань наконечников с использованием двойного магнетронного распыления реактивного ионного пучка в среде с давлением 1.46 × 10–3 Торр. Материалом мишени был диск из кремния с чистотой 99,99% диаметром 6”. Температура материала поддерживалась на уровне 115 ° C, а осаждение тонкой пленки производилось при скорости 0,24 нм/с. В процессе распыления поток газообразного аргона поддерживался на уровне 32 см3, а реактивный газообразный азот (22 см3) вводился в камеру с помощью ионного источника. Однородность нанесенной тонкой пленки повышалась путем вращения держателя материала со скоростью 80 об/мин.

На рисунке 4 сравнивается разрушение оптоволоконных наконечников из ZrF4, AlF3 и Al2O3 покрытых пленкой из Si3N4 и без покрытия под воздействием излучения на длине волны 3 мкм в течение 100 часов. Для наконечников из ZrF4 и AlF3 покрытие Si3N4 имело толщину 25 нм, а выходная мощность волоконного лазера на длине волны 3 мкм составляла 7 Вт, в то время как в случае наконечников из Al2O3 толщина покрытия была равна 100 нм, а мощность составляла 20 Вт. Для обоих наконечников из ZrF4 и AlF3 толщина покрытия была ограничена менее чем на 1% от длины волны, чтобы ограничить френелевское отражение, учитывая высокий показатель преломления Si3N4 (примерно 1.95). Более того, все оптоволоконные наконечники испытывали естественную конвекцию, что ускоряло процесс фотодеградации. Из рисунка 4 видно, что покрытие Si3N4 ингибирует диффузию ОН для всех протестированных торцевых наконечников, если не зарегистрировано никакого повышения температуры с течением времени. Это также демонстрирует, что покрытия Si3N4 могут быть нанесены на различные волоконные материалы.

Рисунок 7

Рисунок 4. Измеренная температура наконечников (а) ZrF4, (b) AlF3 и (с) Al2O3 по сравнению с их аналогами с покрытием Si3N4 как функция времени. Выходная мощность на 3 мкм и толщина покрытия Si3N4 для оптоволоконных наконечников из ZrF4 и AlF3, составляли 7 Вт и 25 нм соответственно, а для наконечников из Al2O3 - 20 Вт и 100 нм соответственно

Однако некоторые Si3N4-покрытия проявляли признаки растрескивания через несколько месяцев после их нанесения на волокна в результате высоких поверхностных напряжений. Тем не менее такой тип напряжения можно снять путем осаждения более тонких пленок Si3N4. Следовательно, в будущих исследованиях будет предпринята попытка найти диапазон толщин, где Si3N4-покрытие не будет растрескиваться с течением времени, одновременно сохраняя непроницаемость для OH-диффузии. Эти исследования также будут рассматривать введение кислорода в матрицу Si3N4, который улучшает ее гибкость. Наконец, оптимизация покрытий из Si3N4 также будет способствовать потенциальному количеству материалов наконечников, на которые они могут быть нанесены, то есть ZrF4, AlF3, SiO2, GeO2, YAG и Al2O3. Ученые считают, что в скором будущем оптимизированный оптоволоконный наконечник должным образом покрытый Si3N4 обеспечит длительную работу (более 10 000 часов) на 100 Вт волоконным лазерным системам с длиной волны 3 мкм. Следует отметить, что нитрид кремния или оксинитрид кремния также можно использовать для покрытий внешней стеклянной оболочки оптического волокна. Такие покрытия могли бы стать альтернативой тонкому углеродному, металлическому или ORMOCER покрытию, которые как было доказано обеспечивают прекрасную защиту от ОН-диффузии у волокон на основе SiO2.

Заключение

В этой работе наблюдалась на протяжении 100 часов OH-деградация для стыков различных наконечников и волокна для волоконных лазеров с длиной волны около 3 мкм и выходной мощностью 20 Вт. Это исследование показало, что фторид, то есть оптоволоконные наконечники на основе ZrF4 и AlF3 проработали менее 10 часов прежде, чем произошел катастрофический отказ, следовательно они должны использоваться в приложениях с меньшей мощностью. С другой стороны, оптоволоконные наконечники на основе оксида (GeO2 и SiO2), а также наконечник волокна из Al2O3-волокна пережили эксперимент, что делает их интересными решениями для систем со средними мощностями (примерно 20 Вт). Это первая статья, в которой материалы на основе оксида сращиваются и перерабатываются в оптоволоконные наконечники на выходе фторидного волокна. Тем не менее все оксидные материалы продемонстрировали явное повышение температуры с течением времени, наблюдение, как полагают связано с диффузией ОН в матрице стекла GeO2 и SiO2 или, предположительно, с адсорбцией ОН в случае Al2O3.

Чтобы подавить взаимодействие ОН с материалом оптоволоконных наконечников при высокоинтенсивном 3 мкм излучении, в этой работе предлагается покрыть поверхность оптоволоконных наконечников тонкой пленкой из нитрида кремния. Эффективность предложенного метода продемонстрирована на наконечниках ZrF4, AlF3, покрытых Si3N4, а также на наконечнике волокна из Al2O3. При освещении светом в течение 100 часов оптоволоконные наконечники с покрытием не показали признаков разрушения, тогда как их аналоги без покрытия претерпели катастрофическое разрушение или продемонстрировали значительное повышение температуры (Al2O3). Ученые считают, что в ближайшем будущем оптимизированные оптоволоконные наконечники с покрытием Si3N4 позволят волоконным лазерам с длиной волны 3 мкм мощностью 100 Вт работать длительное время, что в свою очередь стимулирует развитие передовых приложений среднего инфракрасного диапазона.

Теги волокно оптоволоконные наконечники
Новые статьи
Применение ATHL9010 для оценки запасов углерода надземной массы в масштабе одного дерева относительно субтропического леса

В данной статье представлен беспилотный летательный аппарат мультироторного типа с дистанционным зондированием LiDAR ATHL9010 для оценки запасов углерода надземной массы

 

Характеристика поляризационных голографических решеток на тонких пленках азополимеров, полученных методом цифровой голографической микроскопии

В данной статье исследовано влияние параметров решеток в зависимости от дозы облучения, таких как модуляция дифракционной эффективности и глубины рельефа

Онлайн-контроль приготовления корма для крупного рогатого скота на смартфоне с помощью флуоресцентной визуализации

В данной статье предложен простой и экономичный метод онлайн-мониторинга концентрации шрота в кормах, основанный на флуоресцентной визуализации с фитолампой и камерой широкого потребления (цифровой зеркальной фотокамерой или смартфоном) для фотосъемки

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3